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技嘉称P35-DS3R比Asus P5K工作温度低
振华网 2007年05月15日 作者:阿亮 编辑:阿亮


     据HKEPC的报道,技嘉作为一线的大厂商一只收到很多玩家的关注,在06年的Intel 965芯片组的市场上做出了骄人的成绩,因此,技嘉在推出新一代的P35产品时,宣布推出Ultra Durble 2技术,采用更优秀的Low Rds(on) MOSFET(Power Pack)及Ferrite Core Choke,此外更保持采用全日系固态电容,宣称其供电模块效率能进一步提高,令工作温度有所下降。

    据Gigabyte指出,他们于市场中找来了一片Asus的P5K,与Gigabyte P35-DS3R 1.0作出比较,发现Asus的P5K主机板的CPU VCoee Mosfet相P35-DS3R高出18.9-47.8C,两者表现双距甚远。据Gigabyte指出,由于P35-DS3R采用了6相PWM +18个MOSFET设计,效果比P5K只采用3相 PWM + 9个 MOSGET设计优秀并不意外,加入只采用一般的MOSFET、CHOKE及台系固态电容,亦是P35-DS3R在工作温度上轻易干掉Asus P5K的主要原因。

    其实Gigabyte公开与Asus产品对决已非首次,而上次两厂更各自推出自家测试,隔空对战,未知Asus会否为Gigabyte此次测试作出反击呢?

◆Test equipment:

    ●CPU: Smithfield 840-XE FSB: 800MHz 3.2GHz
    ●DDR2: Kingmax DDR2 800MHz 512MB*4
    ●Display card: GV-NX73G128D-RH

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